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    • 一、整體格局:四大集聚區(qū)域
    • 二、區(qū)域分布與產(chǎn)業(yè)重心
    • 三、技術(shù)方向與行業(yè)特色補(bǔ)充
    • 四、產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)與協(xié)同合作
    • 五、結(jié)語(yǔ)類比
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中國(guó)大陸主要Fab廠的地域分布及產(chǎn)業(yè)特色

05/21 10:55
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一、整體格局:四大集聚區(qū)域

中國(guó)大陸的晶圓制造(Fab)呈現(xiàn)出“東部沿海帶核心,多點(diǎn)中心化布局”特征。主要分為:

環(huán)渤海地區(qū)(以北京、天津、青島為代表)

長(zhǎng)三角地區(qū)(上海、江蘇、浙江)

珠三角地區(qū)(廣東,尤其以深圳、廣州為核心)

中西部及東北補(bǔ)充(武漢、合肥、成都、重慶、大連等)

二、區(qū)域分布與產(chǎn)業(yè)重心

1. 環(huán)渤海區(qū)域:以首都經(jīng)濟(jì)圈為龍頭

北京:聚集頭部晶圓代工廠(如中芯國(guó)際北京、燕東微等)、先進(jìn)制程(如28nm、22nm FinFET等)、特色工藝(如BCD、GaNSiC等)并配套汽車電子、AI芯片需求。

青島:新興的Fab廠(如青島芯恩),側(cè)重功率器件(如MOS、IGBT)、模擬芯片、車規(guī)MCU等,有海爾、海信等下游整機(jī)廠商的配合。

大連:以存儲(chǔ)芯片為主,原英特爾工廠,已被SK海力士收購(gòu)升級(jí)為全球先進(jìn)的3D NAND生產(chǎn)基地。

特點(diǎn)總結(jié)

研發(fā)能力強(qiáng),吸引政策支持,面向國(guó)際高端市場(chǎng)。

本地化配套日漸完善(如與設(shè)備廠北方華創(chuàng)合作)。

2. 長(zhǎng)三角區(qū)域:全國(guó)最強(qiáng)的高端制造高地

上海:龍頭企業(yè)(中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體)匯聚,多節(jié)點(diǎn)布局,包括14nm/28nm/40nm FinFET、RF-SOI、特色NVM/MCU等產(chǎn)品線,兼顧高端工藝與特色應(yīng)用。

無(wú)錫:存儲(chǔ)(SK海力士)、功率器件(如華潤(rùn)微、華潤(rùn)上華、華虹等)、智能卡、MCU均有分布,英飛凌無(wú)錫,后段封裝、測(cè)試及配套也很強(qiáng),國(guó)際與本土巨頭并存。

南京臺(tái)積電以16nm為主,服務(wù)智能汽車等本土市場(chǎng),逐步補(bǔ)齊28nm級(jí)產(chǎn)能。

杭州/紹興/寧波/淮安/揚(yáng)州等:以特色功率器件、傳感器、顯示驅(qū)動(dòng)、CIS等為主,芯聯(lián)集成、中芯寧波、榮芯半導(dǎo)體、積海半導(dǎo)體、士蘭微、揚(yáng)杰科技、富芯半導(dǎo)體、海芯微、華芯杰創(chuàng)等。

蘇州/嘉興:如蘇州和艦、英諾賽科(氮化鎵),布局后段封裝、測(cè)試等,部分8/12英寸Fab支撐系統(tǒng)集成。

特點(diǎn)總結(jié)

大型項(xiàng)目集中、高端制程產(chǎn)能聚集,產(chǎn)業(yè)鏈完備(從設(shè)計(jì)、制造到封測(cè)、材料、設(shè)備一體)。

市占率高,國(guó)內(nèi)外創(chuàng)新企業(yè)多。

3. 珠三角區(qū)域:面向應(yīng)用市場(chǎng)的創(chuàng)新制造

深圳:從傳統(tǒng)的IC設(shè)計(jì)中心快速向晶圓制造、功率器件、第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)等縱深拓展,月產(chǎn)能提升極快。

廣州:以粵芯半導(dǎo)體、增芯為代表,主攻CIS、顯示芯片、55-22nm級(jí)邏輯,主攻第三代半導(dǎo)體(如SiC)的芯粵能、芯聚能發(fā)展迅猛。

新興Fab如鵬芯微、鵬新旭等:專注成熟邏輯制造,服務(wù)汽車、新能源、圖像等應(yīng)用領(lǐng)域。

特點(diǎn)總結(jié)

市場(chǎng)導(dǎo)向明顯,“設(shè)計(jì)—制造—應(yīng)用”閉環(huán),靠近華南消費(fèi)電子、汽車產(chǎn)業(yè)帶。

創(chuàng)新快、品類多,支撐區(qū)域高端制造升級(jí)。

4. 中西部及東北區(qū):高端存儲(chǔ)與補(bǔ)鏈

武漢、合肥長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等分別在NAND Flash、DRAM領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)突破,形成中國(guó)集成電路存儲(chǔ)芯片“雙子星”。晶合集成成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)第三大Fab廠。

成都、重慶:特色工藝Fab填補(bǔ)西部空白,同時(shí)結(jié)合本地新能源汽車、3C終端產(chǎn)業(yè),利于配套發(fā)展,如重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體的中低壓MOS、成都的德州儀器、華虹成都、比亞迪成都、華潤(rùn)微重慶、安意法(意法半導(dǎo)體和三安半導(dǎo)體合資)。

廈門(mén)/福建:三安光電、士蘭集科、晉華集成電、福聯(lián)集成電路、吉順芯。

西安:美光、三星等在12英寸NAND Flash存儲(chǔ)芯片布局較早。

長(zhǎng)沙/株洲:第三代半導(dǎo)體(如三安光電、泰科天潤(rùn))、中車時(shí)代半導(dǎo)體。

沈陽(yáng)、大連等東北:歷史積累深厚,部分工藝如NAND Flash持續(xù)升級(jí),形成國(guó)際合作窗口。

特點(diǎn)總結(jié)

聚焦存儲(chǔ)與功率器件,助力本土供應(yīng)鏈自主可控。

帶動(dòng)區(qū)域IC設(shè)計(jì)、測(cè)試、裝備配套協(xié)同升級(jí)。

三、技術(shù)方向與行業(yè)特色補(bǔ)充

先進(jìn)邏輯工藝:以上海、南京、北京為主,28nm、16/14nm、22/14nm FinFET已成產(chǎn)業(yè)重鎮(zhèn),向更高級(jí)節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。

特色工藝(功率、BCD、RF、MEMS等):環(huán)渤海、珠三角分布密集,強(qiáng)勁支撐本土汽車、工業(yè)、消費(fèi)電子。

第三代半導(dǎo)體(GaN、SiC):廣州、上海、深圳等地布局領(lǐng)先,顯著提升高壓、高頻應(yīng)用自主能力。

存儲(chǔ)芯片:以武漢、合肥為代表,實(shí)現(xiàn)NAND/DRAM的國(guó)產(chǎn)化突圍。

射頻、CIS、MCU等新興細(xì)分領(lǐng)域:長(zhǎng)三角、珠三角快速補(bǔ)齊,支持物聯(lián)網(wǎng)智能終端需求。

四、產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)與協(xié)同合作

地區(qū)間形成互補(bǔ)(如存儲(chǔ)與邏輯、車規(guī)與消費(fèi)、特色工藝與通用工藝),實(shí)現(xiàn)區(qū)域互聯(lián)互通

Fab廠商與設(shè)備、材料、IC設(shè)計(jì)等上下游協(xié)同顯著提升(如與北方華創(chuàng)、科院等合作)。

五、結(jié)語(yǔ)類比

可以將中國(guó)大陸半導(dǎo)體Fab的布局類比為一棵“多枝大樹(shù)”:

:長(zhǎng)三角(能量最足、產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)最深厚)

:環(huán)渤海/京津冀(創(chuàng)新高地,承上啟下)

:珠三角與中西部(創(chuàng)新應(yīng)用爆發(fā),產(chǎn)業(yè)生態(tài)蓬勃)

枝葉:各類 Fab廠與專用工藝分支互補(bǔ),形成自主可控的“國(guó)產(chǎn)自立”平臺(tái)。

簡(jiǎn)言之:中國(guó)大陸Fab廠分布呈現(xiàn)多區(qū)域協(xié)同、產(chǎn)業(yè)鏈完整、高端與特色制造并重之勢(shì),已形成覆蓋先進(jìn)邏輯、特色工藝、存儲(chǔ)及第三代半導(dǎo)體的全國(guó)性產(chǎn)業(yè)網(wǎng)絡(luò)。這為中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)的持續(xù)升級(jí)和全球競(jìng)爭(zhēng)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

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