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掃碼加入半導(dǎo)體行業(yè)裝配線上的EOS最佳實(shí)踐
EOS備注：
? 一般EOS定義：“由應(yīng)用于半導(dǎo)體元件的電氣條件超過限值而導(dǎo)致的損壞”。
? 破壞性水平取決于在一定時(shí)間內(nèi)施加的能量量。
? EOS的損壞本身不是根本原因！
? EOS的損壞可能是連續(xù)故障機(jī)制的結(jié)果。
? 極端的損壞可能掩蓋了根本原因的證據(jù)。
? 任何設(shè)備在某個(gè)時(shí)候都可能受到損壞。
? 不可行的是能夠承受所有EOS威脅的設(shè)備（由于成本和物理限制/最大額定值）。
? 要確定根本原因，需要盡可能了解設(shè)備失敗的條件。
| 器件型號(hào) | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | ECAD模型 | 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 參考價(jià)格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW0603100RFKEAC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 100ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP |
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$0.02 | 查看 | |
| IHLP1212BZER2R2M11 | 1 | Vishay Intertechnologies | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 2.2 uH, COMPOSITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD, CHIP, 1212, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$1.39 | 查看 | |
| BSS84-TP | 1 | Micro Commercial Components | Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
|
$0.08 | 查看 |
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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起
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