核心觀點(diǎn)：

2025年4月，中國汽車產(chǎn)銷增長強(qiáng)勁，推動(dòng)功率器件需求提升，尤其車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體國產(chǎn)化空間大。二季度消費(fèi)電子旺季，且國補(bǔ)政策影響下，需求穩(wěn)定。交貨周期方面，主流廠商的低壓與高壓Mosfets、IGBTs交貨周期多呈上升態(tài)勢(shì)，行業(yè)供應(yīng)偏緊。價(jià)格上，二極管價(jià)格微增，Mosfets價(jià)格下降，但整體行業(yè)呈現(xiàn)量增價(jià)穩(wěn)趨勢(shì)。

三大維度解讀功率器件最新供需動(dòng)態(tài)：

市場(chǎng)需求分析

圖 | 二極管四方維商品動(dòng)態(tài)商情需求指數(shù)情況，來源：Supplyframe四方維

圖 | 晶體管四方維商品動(dòng)態(tài)商情需求指數(shù)情況，來源：Supplyframe四方維

• 2025年4月，中國汽車產(chǎn)銷分別完成9萬輛和259萬輛，同比分別增長8.9%和9.8%；1-4月產(chǎn)銷累計(jì)完成876.5萬輛和864.1萬輛，同比分別增長14.5%和12.4%。
• 2025年4月，中國新能源汽車產(chǎn)銷分別完成1萬輛和122.6萬輛，同比分別增長43.8%和44.2%；1-4月，新能源汽車產(chǎn)銷累計(jì)完成442.9萬輛和430萬輛，同比分別增長48.3%和46.2%。
• 隨著電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化技術(shù)的推動(dòng)，單輛汽車芯片用量及價(jià)值日益提升，同時(shí)，車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體國產(chǎn)化率偏低，是本土廠商重點(diǎn)發(fā)力及高增長的領(lǐng)域。
• 二季度作為消費(fèi)電子傳統(tǒng)旺季，且在國補(bǔ)政策的刺激下，消費(fèi)者購買意愿較強(qiáng)，消費(fèi)電子產(chǎn)銷規(guī)模保持穩(wěn)定增長。
• 華潤微在投資者關(guān)系活動(dòng)中表示，在新能源領(lǐng)域，光伏儲(chǔ)能二季度接單量明顯增長；工控領(lǐng)域，細(xì)分領(lǐng)域較多，但整體需求平穩(wěn)。

交貨周期分析

圖 | 二極管四方維商品動(dòng)態(tài)商情交貨期指數(shù)情況，來源：Supplyframe四方維

圖 | 晶體管四方維商品動(dòng)態(tài)商情交貨期指數(shù)情況，來源：Supplyframe四方維

• Vishay的低壓Mosfets的交貨周期為8-36周，呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)；高壓Mosfets的交貨周期為8-28周，呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)；TVS Diodes的交貨周期為8-12周，呈現(xiàn)走平態(tài)勢(shì)。
• DIODES公司的低壓Mosfets的交貨周期為12-40周，呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)；TVS Diodes的交貨周期為8周，呈現(xiàn)走平態(tài)勢(shì)。
• 英飛凌的低壓Mosfets的交貨周期為8-26周，呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)；高壓Mosfets的交貨周期為8-40周，呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)；IGBTs的交貨周期為12-52周，呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)。
• Littelfuse的低壓Mosfets的交貨周期為25-44周，呈現(xiàn)走平態(tài)勢(shì)；高壓Mosfets的交貨周期為25-52周，呈現(xiàn)走平態(tài)勢(shì)；IGBTs的交貨周期為13-60周，呈現(xiàn)走平態(tài)勢(shì)。
• 安森美的低壓Mosfets的交貨周期為7-38周，呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)；高壓Mosfets的交貨周期為4-19周，呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)；IGBTs的交貨周期為8-37周，呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)。
• 微芯的高壓Mosfets的交貨周期為4-26周，呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)；IGBTs的交貨周期為14-26周，呈現(xiàn)上升態(tài)勢(shì)。
• 揚(yáng)杰科技于5月9日宣布其SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目正式開工，總投資高達(dá)10億元。該項(xiàng)目專注于車規(guī)級(jí)框架式和塑封式IGBT、SiC MOSFET模塊等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品。
• 截至2025年4月，湖南三安的8英寸碳化硅襯底及外延產(chǎn)能已達(dá)1000片/月，8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中。重慶三安的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線已于2025年3月投產(chǎn)，當(dāng)前產(chǎn)能為500片/周，并計(jì)劃逐步提升至每周1萬片。
• 2025年4月，士蘭微公告，目前公司已形成月產(chǎn)9,000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，并成功開發(fā)出第IV代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)，性能接近溝槽柵SiC器件。此外，第V代SiC芯片與模塊已送客戶評(píng)測(cè)，預(yù)計(jì)2025年上量。同時(shí)，8英寸SiC mini line已實(shí)現(xiàn)通線，預(yù)計(jì)2025年4季度實(shí)現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)。

價(jià)格波動(dòng)分析

圖 | 二極管四方維商品動(dòng)態(tài)商情價(jià)格指數(shù)情況，來源：Supplyframe四方維

圖 | 晶體管四方維商品動(dòng)態(tài)商情價(jià)格指數(shù)情況，來源：Supplyframe四方維

• 2025年4月，二極管的四方維動(dòng)態(tài)商情價(jià)格指數(shù)為6，同比增長-6.8%，環(huán)比增長0.4%。
• 2025年4月，Mosfets的四方維動(dòng)態(tài)商情價(jià)格指數(shù)為52，同比增長-16.3%，環(huán)比增長-16.6%。
• 華潤微在投資者關(guān)系活動(dòng)中表示，整體來看行業(yè)呈現(xiàn)溫和復(fù)蘇趨勢(shì)，已出現(xiàn)量增價(jià)穩(wěn)格局，認(rèn)為2025年產(chǎn)品價(jià)格將穩(wěn)定在一定區(qū)間內(nèi)。