SiC MOSFET中自由器件實現(xiàn)的優(yōu)化

2023/10/26 作者：力特奧維斯Littelfuse

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SiC MOSFET中自由器件實現(xiàn)的優(yōu)化

本文討論了在半橋結(jié)構(gòu)下SiC MOSFET自由器件實現(xiàn)的優(yōu)化。介紹了用SiC MOSFET開關(guān)實現(xiàn)的多自由度器件的動態(tài)特性。比較了SiC MOSFET體二極管和SiC肖特基勢壘二極管(SBD)在開爾文源連接和無開爾文源連接下的開關(guān)器件的性能。本文旨在確定SiC MOSFET的主體二極管是否是MOSFET高速開關(guān)的限制因素。

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BAT54S,215	1	Nexperia	BAT54S - Schottky barrier diodes@en-us TO-236 3-Pin	ECAD模型下載ECAD模型	$0.2	查看
IXBOD1-09	1	IXYS Corporation	RVS Blocking BOD, 900V V(BO) Max,		$12.63	查看

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在從消費電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應用中，Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護產(chǎn)品組合，并在功率控制和檢測領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺。作為其加速組織增長和戰(zhàn)略并購公司戰(zhàn)略的一部分，他們正不斷向相鄰市場擴張。這些市場包括功率半導體、重型開關(guān)、磁性、光學、機電和溫度傳感器；并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。

在從消費電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應用中，Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護產(chǎn)品組合，并在功率控制和檢測領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺。作為其加速組織增長和戰(zhàn)略并購公司戰(zhàn)略的一部分，他們正不斷向相鄰市場擴張。這些市場包括功率半導體、重型開關(guān)、磁性、光學、機電和溫度傳感器；并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。收起