MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFE6VP6600N 1.8-600 MHz RF功率數(shù)據(jù)手冊

RF功率LDMOS 晶體管、高耐用性N型增強模式側(cè)向MOSFET，這些高耐用性器件設(shè)計用于高VSWR的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計使其能夠在1.8至600 MHz的寬頻率范圍內(nèi)使用。

特點

無與倫比的輸入和輸出，可實現(xiàn)廣泛的頻率范圍利用
設(shè)備可單端使用或采用推挽配置
最大50 VDD運行限制
在30至50 V范圍內(nèi)進行擴展功率測試
適用于帶有適當偏置的線性應(yīng)用
集成ESD保護，具有更大的負柵源電壓范圍，以改善C類操作
通過串聯(lián)等效大信號阻抗參數(shù)進行特性描述
推薦驅(qū)動器：AFT05MS004N（4 W）或MRFE6VS25N（25 W）

推薦器件

更多器件

器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價格	更多信息
PLED6S	1	Littelfuse Inc	Silicon Surge Protector, 16V V(BO) Max, DO-214AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	ECAD模型下載ECAD模型	$0.93	查看
BM06B-SRSS-TB(LF)(SN)	1	JST Manufacturing	Board Connector, 6 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, Surface Mount Terminal, ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$0.7	查看
ZXMP6A13FTA	1	Zetex / Diodes Inc	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-3		$0.62	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起