作者：九林

最近，SK海力士披露了亮眼的第四季度財報，2023年第四季度實現扭虧為盈，當季營業(yè)利潤3460億韓元（約合2.6億美元），而上年同期營業(yè)虧損1.91萬億韓元。這意味著，SK海力士成功擺脫了從2022年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損情況。

相比之下，同為韓國半導體巨頭的三星，業(yè)績卻不盡如人意。數據顯示，三星電子去年銷售額為258.16萬億韓元（1.4萬億元人民幣），同比下滑14.58%。受半導體部門業(yè)績不佳影響，三星電子全年營業(yè)利潤時隔15年再次跌至10萬億韓元（544億元人民幣）以下。

近一年來，SK海力士的表現可謂可圈可點，僅用了一年時間結束虧損，SK海力士靠的是什么“救命良方”？

SK海力士的業(yè)績情況

財報來看，SK海力士去年Q4營收同比增長47%至11.31萬億韓元，高于分析師預期的10.4萬億韓元。

運營利潤3460.3億韓元，好于分析師預期的虧損1699.1億韓元，好于Q3的虧損1.79萬億韓元；凈虧損1.38萬億韓元，超過了分析師預期的虧損0.41萬億韓元，但較前一季度虧損大幅縮窄。

另外，Q4毛利潤為2.23億韓元，同比大增9404%；毛利潤率為20%，為連續(xù)第三個季度回升；EBITDA（稅息折舊及攤銷前利潤）為3.58億韓元，同比增長99%。

對于財務的增長，SK 海力士解釋道，去年第四季度用于AI服務器和移動端的產品需求增長，平均售價（ASP，Average Selling Price）上升等存儲器市場環(huán)境有所改善。與此同時，公司持續(xù)實施以盈利為主的經營活動發(fā)揮了效果，僅時隔一年實現了季度業(yè)績扭虧為盈。

從產品方面，SK海力士表示，公司的主力產品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分別增長4倍和5倍以上。

回顧2023全年的業(yè)績，SK海力士前三季度營收可以說是一虧再虧。不過，虧損是在持續(xù)收斂的。

一季度財報顯示，公司收入為5.0881萬億韓元，營業(yè)虧損為3.4023萬億韓元，凈虧損為2.5855萬億韓元。2023財年第一季度營業(yè)虧損率為67%，凈虧損率為51%。

當時，SK海力士表示：“第一季度存儲器半導體市場持續(xù)低迷，需求疲軟和產品價格不斷下跌導致公司本季度的營業(yè)收入環(huán)比減少，營業(yè)虧損加大。但預計以第一季度為低點，銷量逐漸遞增，第二季度業(yè)績將有所回升。”

在一季度，SK海力士就決定加大對DDR5和HBM的投入。官方表示，決定注重于以DDR5服務器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176層NAND的SSD、uMCP產品為中心的銷售，以此提升營業(yè)收入。

到了二季度，SK海力士的財報還是處于虧損。

第二季度收入為7.3059萬億韓元，營業(yè)虧損為2.8821萬億韓元，凈虧損為2.9879萬億韓元。2023財年第二季度營業(yè)虧損率為39%，凈虧損率為41%。但可以看到，相較于第一季度，虧損率有所收斂，從第一季度的67%下滑為第二季度的39%。

對此，SK 海力士解釋道：“隨著以ChatGPT為中心的生成式AI市場的擴大，面向AI服務器的存儲器需求劇增。因此HBM3和DDR5 DRAM等高端產品銷售增加，第二季度營業(yè)收入比第一季度增加44%，營業(yè)虧損減少15%?！?/p>

三季度財報顯示，公司的收入為9.0662萬億韓元，營業(yè)虧損為1.7920萬億韓元，凈虧損為2.1847萬億韓元。2023財年第三季度營業(yè)虧損率為20%，凈虧損率為24%。持續(xù)減少營業(yè)損失規(guī)模。

可以看到，自從一季度開始陷入虧損后，靠著HBM和DDR5，SK海力士持續(xù)向好。

誰是“救命良藥”？

HBM成為“印鈔機”

正如前文所述，HBM是SK海力士業(yè)績大增的關鍵之一。

簡單介紹一下HBM。HBM的全稱是High Bandwidth Memory，意為高帶寬存儲器，是一種面向需要極高吞吐量的數據密集型應用程序的DRAM，HBM的作用類似于數據的“中轉站”，就是將使用的每一幀，每一幅圖像等圖像數據保存到幀緩存區(qū)中，等待GPU調用。

正如其名，HBM與其他DRAM最大的差別就是擁有超高的帶寬。最新的HBM3E，最高每秒可以處理1.15TB（太字節(jié)）的數據。而最新的GDDR6的帶寬最高只有96GB/s，CPU和硬件處理單元的常用外掛存儲設備DDR4的帶寬更是只有HBM的1/10?？梢哉f，HBM是當下數據處理速度最快的DRAM產品。

AI服務器GPU市場以NVIDIA H100、A100、A800以及AMD MI250、MI250X系列為主，基本都配備了HBM。HBM成本在AI服務器成本中占比排名第三，約占9%，單機ASP（單機平均售價）高達18,000美元。

在2013年，SK海力士與AMD合作開發(fā)了世界上的第一個HBM。

與SK 海力士率先入局有關，之后SK 海力士在HBM的路上走得穩(wěn)穩(wěn)當當。2018年SK海力士發(fā)布第二代HBM產品HBM2；隨后2020年SK海力士發(fā)布第三代HBM——HBM2E，作為HBM2的擴展版本，性能與容量進一步提升；2021年10月SK海力士成功開發(fā)出第四代產品HBM3，并于2022年6月開始量產。2023年，SK海力士成功開發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產品HBM3E。

可以說從HBM1、HBM2E、HBM3、HBM3E，SK海力士持續(xù)領先。SK海力士占據HBM市場50%的份額，三星占比40%，美光占比10%。

在很長一段時間內，SK海力士都是英偉達HBM的獨家供應商。2023年SK海力士基本壟斷了HBM3供應，今年其HBM3與HBM3E的訂單也已售罄。作為英偉達高帶寬內存 (HBM）的主要供應商，SK海力士過去一年股價飆升超過50%，市值達到97.27萬億韓元（約合738.40億美元）。

也正因此，SK海力士首席執(zhí)行官Kwak Noh-Jung才敢放出豪言：“市場上只有三家HBM供應商。我可以肯定地說，SK海力士在HBM領域是明確的領導者?！?/p>

分析師Hwang Min-sung指出：“從2023年第二季度和第四季度開始，SK海力士的HBM就與競爭對手形成顯著差異化，第三季度和第四季度差距進一步擴大。與通常的存儲器世代需要1.5到2年的時間過渡不同，HBM只需1年的時間即可完成過渡，這為市場領導者SK海力士帶來了優(yōu)勢。”

憑借著HBM，SK海力士不僅僅是業(yè)績增長，市場占有率也在迅速增長。據TrendForce統計，SK海力士第三季度以49.6%的市場份額穩(wěn)居服務器DRAM市場第一，銷售額達18.5億美元，成功擠下三星電子。三星電子以13.13億美元的銷售額排名第二，占據35.2%的市場份額，第三名是美光，銷售額為5.6億美元，市場份額為15.0%。

DDR5成主流

成為SK海力士救命良藥的不只是HBM，還有DDR5。

根據Yole Developpement的報告顯示，從DDR4到DDR5內存過渡將會非常迅速。DDR5內存大規(guī)模應用將在2022年從服務器和企業(yè)市場開始，到2023年，消費級的主流市場將廣泛采用DDR5內存，無論是臺式電腦、筆記本電腦還是手機，都會充分利用新一代內存技術。

得益于服務器市場，2022年DDR5內存的使用率將增加25%，到了2023年，DDR5內存的市場份額會超過50%。2024年至2026年，隨著DDR5內存全面被各個市場采用，DDR4內存的市場份額將僅有5%。

但是，對于DDR5，雖然SK海力士是唯一一家全面生產128GB芯片的公司，三星剛剛開始生產，美光則在去年11月才姍姍推出了128GB DDR5。

業(yè)界相關人士分析道，SK 海力士1a（第四代 10nm，屬于14nm 級）DDR5 DRAM 產品良率高達 90%，遠高于競爭對手。一位熟悉SK 海力士的人士表示，“以 1a 標準，SK 海力士的良率已經達到了黃金良率?！?/p>

因此，在圍繞服務器用 128GB DDR5 等高容量產品的市場中，早期SK 海力士在這一領域中供應了100%的市場量。

搶占HBM先機

目前HBM已經演變到了第五代，甚至第六代HBM4技術也初露頭角，但時至今日，HBM3e（第五代）仍舊沒有完全應用于產品當中。

既然HBM如此火熱，SK海力士也想牢牢抓在手里。

在這一背景下，SK海力士計劃在2024年增加資本支出，并將生產重心放在HBM等高端存儲產品上。之前公司曾預計，到2030年其HBM出貨量將達到每年1億顆；并決定在2024年預留約10萬億韓元（約合76億美元）的設施資本支出——相較2023年6萬億-7萬億韓元的預計設施投資，增幅高達43%-67%。

不止SK 海力士，HBM的大蛋糕，存儲廠商都看著眼熱。

三星對HBM的布局從HBM2開始，目前，三星已經向客戶提供了HBM2和HBM2E產品。2016年三星量產HBM2；2020年三星推出了HBM2；2021年2月，三星推出了HBM-PIM（存算一體），將內存半導體和AI處理器合二為一；2022年三星表示HBM3已量產。

韓國日報稱，三星電子打破了 SK 海力士為英偉達獨家供應 HBM 3 的局面，該公司計劃從明年 1 月開始向英偉達提供 HBM3。此前，三星電子已成功向美國 AMD 供應 HBM3 內存。

美光這邊，為了改善自己在HBM市場中的被動地位，美光選擇了直接跳過第四代HBM即HBM3，直接升級到了第五代。

2023年9月，美光宣布推出HBM3 Gen2（即HBM3E），后續(xù)表示計劃于 2024 年初開始大批量發(fā)貨 HBM3 Gen2 內存，同時透露英偉達是主要客戶之一。美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 也在公司財報電話會議里表示：“我們的 HBM3 Gen2 產品系列的推出引起了客戶的濃厚興趣和熱情?！?/p>

最新消息顯示，英偉達正在規(guī)劃加入更多的HBM供應商，以完善和健全其供應鏈管理。除了HBM3和HBM3e以外，HBM4預計將在2026年推出。目前，英偉達和其他CSP（云端業(yè)者）在未來的產品應用上，規(guī)格和效能都將得到優(yōu)化。

HBM4在堆棧的層數上，除了現有的12hi（12層）外，還將再往16hi（16層）發(fā)展，更高層數預計將帶動新堆棧方式的需求增長。機構預測，HBM4 12hi產品將在2026年推出，16hi產品則有望在2027年問世。

HBM的戰(zhàn)斗，還在繼續(xù)。

結語

無論是第五代10nm級DRAM技術，還是HBM等新技術，存儲大廠都在持續(xù)發(fā)力。展望未來，隨著5G、人工智能、云計算等技術的快速發(fā)展，高性能內存需求將持續(xù)增長。

總的來說，SK海力士業(yè)績向好的背后，是其在HBM和DDR5領域的領先技術和市場布局。SK 海力士業(yè)績向好，也再次體現出創(chuàng)新技術對于半導體廠商的重要性。市場總是不會虧待有創(chuàng)新力的企業(yè)。然而，要想保持這一優(yōu)勢并持續(xù)增長，SK海力士還需不斷創(chuàng)新和適應市場的變化。

在市場回春后，新存儲的技術之戰(zhàn)，會愈演愈烈。